Młodszy specjalista / Specjalista ds. technologii przyrządów półprzewodnikowych (K/M)

Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki (Łukasiewicz-IMiF) prowadzi prace badawczo-rozwojowe w obszarze zaawansowanych technologii mikroelektronicznych i fotonicznych. Posiada unikalne laboratoria technologiczne oraz kapitał intelektualny, które umożliwiają podejmowanie prac naukowych i projektów na rzecz podnoszenia innowacyjności polskich przedsiębiorstw tworząc jednocześnie bazy wiedzy high-tech w zakresie wytwarzania innowacyjnych materiałów oraz technologii i konstrukcji przyrządów mikroelektroniki i fotoniki, technologii azotku galu oraz technologii LTCC i elektroniki drukowanej oraz czujników medycznych, środowiskowych. Łukasiewicz–IMiF corocznie realizuje kilkadziesiąt projektów finansowanych ze środków krajowych i zagranicznych, których rezultaty mają zwiększyć innowacyjność polskiej gospodarki.

Rodzaj umowy: umowa o pracę
Liczba wolnych stanowisk pracy: 1
Wymiar etatu: 100% etatu
Miejsce pracy: Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

Zakres obowiązków:

• Wytwarzanie warstw i struktur metodami PVD, ALD
• Prowadzenie procesów obróbki chemicznej podłoży
• Charakteryzowanie warstw i struktur metodami elektrycznymi (I-V) oraz mikroskopowymi (optyczna i SEM)
• Przeprowadzanie pomiarów faz i składu metodami XRD, EDX
• Prowadzenie eksperymentów i pomiarów z wykorzystaniem urządzeń powierzonych do pracy dostępnych w laboratorium
• Analizowanie wyników badań, opracowanie raportów
• Prezentowanie badań i publikowanie prac

Wymagania:

• Wykształcenie wyższe albo wykształcenie średnie i 5-letnie doświadczenie w sektorze badawczo-rozwojowym (Młodszy specjalista); Wykształcenie wyższe magisterskie albo wykształcenie wyższe i roczne doświadczenie w sektorze badawczo-rozwojowym (Specjalista)
• Preferowani absolwenci kierunków: fizyka, elektronika lub pokrewnych
• Znajomość procesów fizycznych w materiałach półprzewodnikowych, mi.in zasad działania półprzewodnikowych elementów, detektorów i czujników promieniowania, analiza zjawisk oddziaływania promieniowania e-m na struktury wytwarzane z materiałów półprzewodnikowych.
• Praktyczna umiejętność wykonywania podstawowych pomiarów elektrycznych, pomiarów wielkości fizycznych, technik charakteryzacji warstw, materiałów i powierzchni materiałów
• Znajomość języka angielskiego na poziomie zaawansowanym (B2/C1).

Mile widziane:

• Umiejętność modelowania struktur lub przyrządów elektronicznych

Oferujemy:

• Pracę w organizacji realizującej innowacyjne, krajowe i zagraniczne, prestiżowe projekty badawczo-rozwojowe
• Stabilne zatrudnienie na umowę o pracę
• Kulturę wspierającą różnorodność i rozwój
• Udział w konferencjach krajowych i zagranicznych
• Programy zatrudniania finalistów olimpiad przedmiotowych
• Możliwość realizowania praktyk szkolnych i studenckich
• Dostęp do wydawnictw naukowych
• Elastyczne godziny pracy

Benefity:

• Pakiety medyczne
• Grupowe ubezpieczenie na życie
• Karta sportowa
• Dofinansowanie szkoleń i kursów
• Dodatkowe świadczenia socjalne
• Dofinansowanie wypoczynku
• Świadczenie świąteczne
• Nagrody jubileuszowe
• Dodatkowe dni wolne
• Inicjatywy dobroczynne